창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP80N04S303AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N04S3-03 | |
카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 120µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 188W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP80N04S3-03 IPP80N04S3-03-ND IPP80N04S303 SP000261229 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP80N04S303AKSA1 | |
관련 링크 | IPP80N04S3, IPP80N04S303AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | T550B227K008AT4251 | 220µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 8V Axial 0.281" Dia x 0.641" L (7.14mm x 16.28mm) | T550B227K008AT4251.pdf | |
![]() | STU2LN60K3 | MOSFET N CH 600V 2A IPAK | STU2LN60K3.pdf | |
![]() | 272-BGA-OM | 272-BGA-OM ASAT BGA | 272-BGA-OM.pdf | |
![]() | AMI-CIRCUITS | AMI-CIRCUITS ORIGINAL DIP/SMD | AMI-CIRCUITS.pdf | |
![]() | ZNREF040C | ZNREF040C FRD CAN3 | ZNREF040C.pdf | |
![]() | MAX4374HESD+ | MAX4374HESD+ MAX SOP | MAX4374HESD+.pdf | |
![]() | UM6K31NG-AL6-R | UM6K31NG-AL6-R UTC SOT-363 | UM6K31NG-AL6-R.pdf | |
![]() | 6R6MB10L-060AHX-01 | 6R6MB10L-060AHX-01 FUJI SMD or Through Hole | 6R6MB10L-060AHX-01.pdf | |
![]() | WSL-2512R0680FEA | WSL-2512R0680FEA ORIGINAL SMD or Through Hole | WSL-2512R0680FEA.pdf | |
![]() | CDRH74B-220NC | CDRH74B-220NC SUMIDA 2010 | CDRH74B-220NC.pdf |