창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP65R660CFDXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx65R660CFD | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 660m옴 @ 2.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 615pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 62.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP65R660CFD IPP65R660CFD-ND SP000745026 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP65R660CFDXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP65R660C, IPP65R660CFDXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | C2012CH2W121J060AA | 120pF 450V 세라믹 커패시터 CH 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012CH2W121J060AA.pdf | |
![]() | CDV30EK820JO3F | MICA | CDV30EK820JO3F.pdf | |
![]() | VS-110MT140KPBF | POWER MOD 3PH BRIDGE 110A MTK | VS-110MT140KPBF.pdf | |
| AOK30B60D1 | IGBT 600V 60A 208W TO247 | AOK30B60D1.pdf | ||
![]() | RT0603WRD07237RL | RES SMD 237 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRD07237RL.pdf | |
![]() | LM8302 | LM8302 LM SOP-8 | LM8302.pdf | |
![]() | TL7705ACM | TL7705ACM TI SOP-8 | TL7705ACM.pdf | |
![]() | KMX250VB101M16X31LL | KMX250VB101M16X31LL NIPPON SMD or Through Hole | KMX250VB101M16X31LL.pdf | |
![]() | GRM39COG220C101 | GRM39COG220C101 ORIGINAL SMD or Through Hole | GRM39COG220C101.pdf | |
![]() | P38862 | P38862 ORIGINAL BGA-304D | P38862.pdf | |
![]() | 25F1024AN-10SU27 | 25F1024AN-10SU27 ATMEL SMD | 25F1024AN-10SU27.pdf | |
![]() | UC3655G-33-AF5-R | UC3655G-33-AF5-R UTC SOT23-5 | UC3655G-33-AF5-R.pdf |