창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP65R660CFDXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx65R660CFD | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 660m옴 @ 2.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 615pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 62.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP65R660CFD IPP65R660CFD-ND SP000745026 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP65R660CFDXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP65R660C, IPP65R660CFDXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385311250JII2B0 | 0.011µF Film Capacitor 900V 2500V (2.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.335" W (26.00mm x 8.50mm) | MKP385311250JII2B0.pdf | |
![]() | CE3291-30.000 | 30MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 5V 60mA Enable/Disable | CE3291-30.000.pdf | |
![]() | MRS25000C3578FRP00 | RES 3.57 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C3578FRP00.pdf | |
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![]() | PT880LD | PT880LD VIA BGA | PT880LD.pdf | |
![]() | SI3407 | SI3407 VISHAY SOT-23 | SI3407.pdf | |
![]() | HM5264165LTT-75 | HM5264165LTT-75 HIT SMD or Through Hole | HM5264165LTT-75.pdf | |
![]() | K4S641632H-UC75000 | K4S641632H-UC75000 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S641632H-UC75000.pdf | |
![]() | RC2010JK-071R2 | RC2010JK-071R2 YAGEO 2010 | RC2010JK-071R2.pdf | |
![]() | OKY-T/16-D12P-C | OKY-T/16-D12P-C Murata SMD or Through Hole | OKY-T/16-D12P-C.pdf | |
![]() | G6H-2F DC3V | G6H-2F DC3V OMRON SMD or Through Hole | G6H-2F DC3V.pdf |