창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP65R600C6XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx65R600C6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 2.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 210µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 63W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP65R600C6 IPP65R600C6-ND SP000661310 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP65R600C6XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP65R600, IPP65R600C6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 7M-40.000MAHJ-T | CRYSTAL 40.000MHZ 18PF SMT | 7M-40.000MAHJ-T.pdf | |
![]() | BFU610F,115 | TRANSISTOR NPN SOT343F | BFU610F,115.pdf | |
| IRFPG50PBF | MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC | IRFPG50PBF.pdf | ||
![]() | SCH53-180 | 18µH Unshielded Wirewound Inductor 1.1A 280 mOhm Max Nonstandard | SCH53-180.pdf | |
![]() | MFR-25FRF52-1K87 | RES 1.87K OHM 1/4W 1% AXIAL | MFR-25FRF52-1K87.pdf | |
![]() | B39162-B7732-C510 | B39162-B7732-C510 EPCOS 2520 | B39162-B7732-C510.pdf | |
![]() | HT-N178TWU | HT-N178TWU HARVATEK ROHS | HT-N178TWU.pdf | |
![]() | FAR-F5EB-881M50-B28R | FAR-F5EB-881M50-B28R FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-F5EB-881M50-B28R.pdf | |
![]() | NMTB-S0001RGHS-A | NMTB-S0001RGHS-A OTHER SMD or Through Hole | NMTB-S0001RGHS-A.pdf | |
![]() | HZS11A3LTA | HZS11A3LTA ORIGINAL SMD or Through Hole | HZS11A3LTA.pdf | |
![]() | 74LVTH125D | 74LVTH125D NXP SOP14 | 74LVTH125D.pdf | |
![]() | ZS1R5-1205 | ZS1R5-1205 COSEL SMD or Through Hole | ZS1R5-1205.pdf |