창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP65R280C6XKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx65R280C6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 4.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 440µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 950pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP65R280C6 IPP65R280C6-ND SP000785058 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP65R280C6XKSA1 | |
관련 링크 | IPP65R280, IPP65R280C6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
CW0103R180JE73 | RES 3.18 OHM 13W 5% AXIAL | CW0103R180JE73.pdf | ||
LH316-SP | LH316-SP ORIGINAL SOP24 | LH316-SP.pdf | ||
MAX3362EKA+T | MAX3362EKA+T MAXIM SOT23-8 | MAX3362EKA+T.pdf | ||
DEMZ-9S-A197 | DEMZ-9S-A197 ITT SMD or Through Hole | DEMZ-9S-A197.pdf | ||
MSM04045-00C | MSM04045-00C SAUROSRL SMD or Through Hole | MSM04045-00C.pdf | ||
SDR0805TTE101K | SDR0805TTE101K KOA SMD | SDR0805TTE101K.pdf | ||
K5N2833ATB-AQ12 | K5N2833ATB-AQ12 SAMSUNG BGA | K5N2833ATB-AQ12.pdf | ||
LA4917 | LA4917 SANYO SOP | LA4917.pdf | ||
PDIUSBP11A-D | PDIUSBP11A-D ORIGINAL SMD or Through Hole | PDIUSBP11A-D.pdf | ||
PK73B1JTTD-J | PK73B1JTTD-J KOA SMD or Through Hole | PK73B1JTTD-J.pdf | ||
GO5200 NPB 64m | GO5200 NPB 64m NVIDIA BGA | GO5200 NPB 64m.pdf | ||
LM3302DR * | LM3302DR * TIS Call | LM3302DR *.pdf |