창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP65R280C6XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx65R280C6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 4.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 440µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 950pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 104W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP65R280C6 IPP65R280C6-ND SP000785058 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP65R280C6XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP65R280, IPP65R280C6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | VJ0402D3R3BXXAC | 3.3pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D3R3BXXAC.pdf | |
![]() | L06034R7DGWTR | 4.7nH Unshielded Thin Film Inductor 500mA 150 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | L06034R7DGWTR.pdf | |
![]() | PNP300JR-73-0R47 | RES 0.47 OHM 3W 5% AXIAL | PNP300JR-73-0R47.pdf | |
![]() | AM1P-1218SZ | AM1P-1218SZ AIMTEC SMD or Through Hole | AM1P-1218SZ.pdf | |
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![]() | SPMWHT520AN2BAC1S0 | SPMWHT520AN2BAC1S0 SAMSUNG SMD or Through Hole | SPMWHT520AN2BAC1S0.pdf | |
![]() | PCC375ACEF | PCC375ACEF ORIGINAL SOP16 | PCC375ACEF.pdf | |
![]() | PIC126F676-I/P | PIC126F676-I/P MICROCHIP DIP | PIC126F676-I/P.pdf | |
![]() | BL2012-10B3700T/LF+ | BL2012-10B3700T/LF+ BALUN SMD | BL2012-10B3700T/LF+.pdf | |
![]() | MAX3664EUA+T | MAX3664EUA+T MAXIM MSOP8 | MAX3664EUA+T.pdf | |
![]() | VE0807B101K-KH | VE0807B101K-KH MURATA SMD or Through Hole | VE0807B101K-KH.pdf |