창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP65R150CFDAAKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx65R150CFDA | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22.4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 9.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 900µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2340pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 195.3W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000928272 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP65R150CFDAAKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP65R150C, IPP65R150CFDAAKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | K150J10C0GH5UH5 | 15pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K150J10C0GH5UH5.pdf | |
![]() | SIT3807AI-G-28NM | 1.544MHz ~ 49.152MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 33mA | SIT3807AI-G-28NM.pdf | |
![]() | PEF22818FV1.1 ES | PEF22818FV1.1 ES infineon SMD or Through Hole | PEF22818FV1.1 ES.pdf | |
![]() | C1005NPO680JGTS | C1005NPO680JGTS TW 0402-68PF 50V J | C1005NPO680JGTS.pdf | |
![]() | FW250D1 | FW250D1 TYCO 48V2V100W | FW250D1.pdf | |
![]() | E5108AG | E5108AG BGA ELPIDA | E5108AG.pdf | |
![]() | N5220A | N5220A ON QFN | N5220A.pdf | |
![]() | MAX5413EUD | MAX5413EUD MAXIM TSSOP | MAX5413EUD.pdf | |
![]() | QS5820 | QS5820 ORIGINAL SMD or Through Hole | QS5820.pdf | |
![]() | 6046216DIN79852X16PZZN | 6046216DIN79852X16PZZN WURTHELEKTRONIK SMD or Through Hole | 6046216DIN79852X16PZZN.pdf | |
![]() | S82S2708F | S82S2708F S DIP | S82S2708F.pdf |