창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP65R065C7XKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPP65R065C7 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ C7 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 17.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 850µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3020pF @ 400V | |
전력 - 최대 | 171W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001080100 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP65R065C7XKSA1 | |
관련 링크 | IPP65R065, IPP65R065C7XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 0001.2512 | FUSE CERAMIC 6.3A 250VAC 150VDC | 0001.2512.pdf | |
![]() | V150LA1PX2855 | VARISTOR 250V 1.2KA DISC 7MM | V150LA1PX2855.pdf | |
![]() | RN731JLTD1401B25 | RN731JLTD1401B25 KOA SMD or Through Hole | RN731JLTD1401B25.pdf | |
![]() | CMD8LNNP-560KC | CMD8LNNP-560KC SUMIDA SMD or Through Hole | CMD8LNNP-560KC.pdf | |
![]() | ES25B05-P1J | ES25B05-P1J MW SMD or Through Hole | ES25B05-P1J.pdf | |
![]() | S8025L-52 | S8025L-52 TECCOR SMD or Through Hole | S8025L-52.pdf | |
![]() | PT06E-18-11P-424 | PT06E-18-11P-424 AMPHENOL ORIGINAL | PT06E-18-11P-424.pdf | |
![]() | CS3225H-16.8 | CS3225H-16.8 CITIZEN SMD | CS3225H-16.8.pdf | |
![]() | NJM7082 | NJM7082 JRC SOP-8 | NJM7082.pdf | |
![]() | HD63B01X0E59CP | HD63B01X0E59CP HITACHI PLCC68 | HD63B01X0E59CP.pdf | |
![]() | LQS66C150M04M00 | LQS66C150M04M00 MURATA SMD or Through Hole | LQS66C150M04M00.pdf | |
![]() | PT16580 | PT16580 PTC LQFP64 | PT16580.pdf |