창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP60R950C6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx60R950C6 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 카탈로그 페이지 | 1610 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 950m옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 130µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 280pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 37W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP60R950C6XKSA1 SP000629364 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP60R950C6 | |
| 관련 링크 | IPP60R, IPP60R950C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | MCM01-001D4R7D-F | METAL CLAD - MICA | MCM01-001D4R7D-F.pdf | |
![]() | HF1008-047M | 4.7nH Unshielded Inductor 1.32A 70 mOhm Max Nonstandard | HF1008-047M.pdf | |
![]() | 3392AE | 3392AE CATALYST SMD or Through Hole | 3392AE.pdf | |
![]() | MS1-50-1K0-1%B3 | MS1-50-1K0-1%B3 DRALORIC SMD or Through Hole | MS1-50-1K0-1%B3.pdf | |
![]() | G41BC30S | G41BC30S IR TO-220 | G41BC30S.pdf | |
![]() | CCR75CG471JS | CCR75CG471JS KEMET SMD or Through Hole | CCR75CG471JS.pdf | |
![]() | D78238LQ-014 | D78238LQ-014 ORIGINAL PLCC | D78238LQ-014.pdf | |
![]() | Z33D5 | Z33D5 ORIGINAL SMD DIP | Z33D5.pdf | |
![]() | 3CT3K | 3CT3K CHINA SMD or Through Hole | 3CT3K.pdf | |
![]() | VSC872TX | VSC872TX VITESSE BGA | VSC872TX.pdf | |
![]() | SST39VF200A-70, | SST39VF200A-70, SST TSOP48 | SST39VF200A-70,.pdf | |
![]() | K2500E | K2500E TECCOR SMD or Through Hole | K2500E.pdf |