창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP60R600C6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx60R600C6 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 카탈로그 페이지 | 1610 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 2.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 63W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP60R600C6XKSA1 SP000645074 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP60R600C6 | |
| 관련 링크 | IPP60R, IPP60R600C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CDBMT220L-G | DIODE SCHOTTKY 20V 2A SOD123 | CDBMT220L-G.pdf | |
![]() | Y092640R0000B9L | RES 40 OHM 8W 0.1% TO220-4 | Y092640R0000B9L.pdf | |
![]() | 6.3YXG1200M10X16 | 6.3YXG1200M10X16 ORIGINAL SMD or Through Hole | 6.3YXG1200M10X16.pdf | |
![]() | MK5091 | MK5091 ORIGINAL DIP | MK5091.pdf | |
![]() | P01 | P01 IC DMC | P01.pdf | |
![]() | 2SC3838/ADQ | 2SC3838/ADQ ORIGINAL SOT-23 | 2SC3838/ADQ.pdf | |
![]() | LM4558C | LM4558C ST SMD or Through Hole | LM4558C.pdf | |
![]() | CH0818 | CH0818 CHANGHONG DIP | CH0818.pdf | |
![]() | 1740EUB | 1740EUB MAXIM MSOP10 | 1740EUB.pdf | |
![]() | UPD45128841G5-A80-9J | UPD45128841G5-A80-9J NEC SOIC | UPD45128841G5-A80-9J.pdf | |
![]() | 54F125 | 54F125 NS/TI SMD or Through Hole | 54F125.pdf |