창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP60R299CPXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPP60R299CP | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
PCN 설계/사양 | Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016 | |
카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 299m옴 @ 6.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 440µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 96W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP60R299CP IPP60R299CPAKSA1 IPP60R299CPIN IPP60R299CPIN-ND IPP60R299CPX IPP60R299CPXK IPP60R299CPXTIN IPP60R299CPXTIN-ND SP000084280 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP60R299CPXKSA1 | |
관련 링크 | IPP60R299, IPP60R299CPXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
RG2012Q-41R2-D-T5 | RES SMD 41.2 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012Q-41R2-D-T5.pdf | ||
CAY16-302J4LF | RES ARRAY 4 RES 3K OHM 1206 | CAY16-302J4LF.pdf | ||
MC14001/BCL | MC14001/BCL MOT CDIP14 | MC14001/BCL.pdf | ||
RD9.1ES-T1 | RD9.1ES-T1 NEC SMD or Through Hole | RD9.1ES-T1.pdf | ||
836C220X2S | 836C220X2S SPRAGUE SOP | 836C220X2S.pdf | ||
636FY-680M=P3 | 636FY-680M=P3 TOKO SMD or Through Hole | 636FY-680M=P3.pdf | ||
CD54 47UH | CD54 47UH ORIGINAL SMD or Through Hole | CD54 47UH.pdf | ||
AD9807AST0215 | AD9807AST0215 AD SOP | AD9807AST0215.pdf | ||
RJ2411BBOPB.LR386032.IR3Y48B1 | RJ2411BBOPB.LR386032.IR3Y48B1 SHARP DIP | RJ2411BBOPB.LR386032.IR3Y48B1.pdf | ||
70AAJ-5-M0G | 70AAJ-5-M0G BOURNSINC SMD or Through Hole | 70AAJ-5-M0G.pdf | ||
MIC2564A-DBSM | MIC2564A-DBSM MIC SSOP24 | MIC2564A-DBSM.pdf |