창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP60R199CPXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPP60R199CP | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 199m옴 @ 9.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 660µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1520pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 139W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP60R199CP IPP60R199CP-ND IPP60R199CPAKSA1 IPP60R199CPIN IPP60R199CPIN-ND IPP60R199CPX IPP60R199CPXK SP000084278 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP60R199CPXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP60R199, IPP60R199CPXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | MCR18EZHJ3R9 | RES SMD 3.9 OHM 5% 1/4W 1206 | MCR18EZHJ3R9.pdf | |
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![]() | XL4001 | XL4001 XLSEMI SMD or Through Hole | XL4001.pdf | |
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![]() | AT45DB161BI | AT45DB161BI AT SOP | AT45DB161BI.pdf | |
![]() | XD1(GA) | XD1(GA) TOPLINE SMD or Through Hole | XD1(GA).pdf | |
![]() | 1410188-3 | 1410188-3 TYCO SMD or Through Hole | 1410188-3.pdf | |
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