창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP60R190C6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx60R190C6 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
카탈로그 페이지 | 1610 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 9.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 630µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 151W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP60R190C6XKSA1 SP000621158 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP60R190C6 | |
관련 링크 | IPP60R, IPP60R190C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 416F27112AAR | 27.12MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27112AAR.pdf | |
![]() | STPSC10H065G-TR | DIODE SILICON 650V 10A D2PAK | STPSC10H065G-TR.pdf | |
![]() | MAX2659 TEL:82766440 | MAX2659 TEL:82766440 Maxim SMD or Through Hole | MAX2659 TEL:82766440.pdf | |
![]() | 4NK60Z | 4NK60Z ST TO-220F | 4NK60Z.pdf | |
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![]() | AD5827BCBZ-REEL7 | AD5827BCBZ-REEL7 ADI Call | AD5827BCBZ-REEL7.pdf | |
![]() | 210069/A1 | 210069/A1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 210069/A1.pdf | |
![]() | U2148BAFLGU3 | U2148BAFLGU3 tfk SMD or Through Hole | U2148BAFLGU3.pdf | |
![]() | TPS6090RSAR | TPS6090RSAR TI SMD or Through Hole | TPS6090RSAR.pdf | |
![]() | H4S643232H-TC50 | H4S643232H-TC50 SAMSUNG TSSOP86 | H4S643232H-TC50.pdf | |
![]() | HFP4N69 | HFP4N69 SEMIHOW TO-220F | HFP4N69.pdf |