창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP60R190C6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx60R190C6 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 카탈로그 페이지 | 1610 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 9.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 630µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 151W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP60R190C6XKSA1 SP000621158 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP60R190C6 | |
| 관련 링크 | IPP60R, IPP60R190C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CF43610PPA | CF43610PPA ATI QFP | CF43610PPA.pdf | |
![]() | MB3800PFV-G-BND-EP | MB3800PFV-G-BND-EP ORIGINAL SMD | MB3800PFV-G-BND-EP.pdf | |
![]() | UJ260553B | UJ260553B ORIGINAL TSSOP | UJ260553B.pdf | |
![]() | V53C464P10LQ | V53C464P10LQ Vitelic DIP | V53C464P10LQ.pdf | |
![]() | AD42022-1 | AD42022-1 AD DIP | AD42022-1.pdf | |
![]() | 101-1040 | 101-1040 RabbitSemi module | 101-1040.pdf | |
![]() | IRF1010NS-IR | IRF1010NS-IR ORIGINAL SMD or Through Hole | IRF1010NS-IR.pdf | |
![]() | AD7863BR-2 | AD7863BR-2 AD SOP | AD7863BR-2.pdf | |
![]() | MT29F4G08AAAWPA | MT29F4G08AAAWPA MICRON TSOP | MT29F4G08AAAWPA.pdf | |
![]() | 1330-0607-T200 | 1330-0607-T200 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1330-0607-T200.pdf | |
![]() | HXP283 | HXP283 ORIGINAL SMD or Through Hole | HXP283.pdf | |
![]() | HEF4538B | HEF4538B PHI DIP | HEF4538B.pdf |