창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP60R099C6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx60R099C6 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 37.9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 99m옴 @ 18.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1.21mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 119nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2660pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 278W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP60R099C6XKSA1 SP000687556 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP60R099C6 | |
관련 링크 | IPP60R, IPP60R099C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
B82422T1122K8 | 1.2µH Unshielded Wirewound Inductor 390mA 700 mOhm Max 2-SMD | B82422T1122K8.pdf | ||
MS46SR-30-1215-Q2-10X-10R-NO-A | SYSTEM | MS46SR-30-1215-Q2-10X-10R-NO-A.pdf | ||
ADUC832BSZ-REEL | ADUC832BSZ-REEL ADI ADUC832BSZ-REEL | ADUC832BSZ-REEL.pdf | ||
24LC024-I/MS | 24LC024-I/MS MICROCHIP DFN-8 | 24LC024-I/MS.pdf | ||
BTA16-700SW | BTA16-700SW ST TO-220 | BTA16-700SW.pdf | ||
UT65L1616BS-70LLI | UT65L1616BS-70LLI UT SMD or Through Hole | UT65L1616BS-70LLI.pdf | ||
1N4831 | 1N4831 N DIP | 1N4831.pdf | ||
HF1201B00 | HF1201B00 Old DIP | HF1201B00.pdf | ||
8I248E1I-1 | 8I248E1I-1 SONY CCD | 8I248E1I-1.pdf | ||
7X83 | 7X83 ORIGINAL SOT-26 | 7X83.pdf | ||
ETP05043R3M | ETP05043R3M NA SMD or Through Hole | ETP05043R3M.pdf | ||
C2012Y5V1H683ZT | C2012Y5V1H683ZT TDK SMD or Through Hole | C2012Y5V1H683ZT.pdf |