창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP530N15N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx530N15N3G | |
주요제품 | Automatic Opening Systems | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 53m옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 35µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 887pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 68W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP530N15N3G IPP530N15N3GXKSA1 SP000521722 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP530N15N3 G | |
관련 링크 | IPP530N, IPP530N15N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
CRCW04021M18FKTD | RES SMD 1.18M OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW04021M18FKTD.pdf | ||
CMF55649K00BHEA | RES 649K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF55649K00BHEA.pdf | ||
AD5331BRU-REEL7 | AD5331BRU-REEL7 AD TSSOP | AD5331BRU-REEL7.pdf | ||
S1M8837X01-N070 | S1M8837X01-N070 SAMSUNG 4KREELROHS | S1M8837X01-N070.pdf | ||
NM27C128Q-150 | NM27C128Q-150 F DIP28 | NM27C128Q-150 .pdf | ||
OPA725 | OPA725 BB SOP8 | OPA725.pdf | ||
SAA8026H | SAA8026H PHI TSSOP | SAA8026H.pdf | ||
M55310/26-B42A 32M00000 | M55310/26-B42A 32M00000 Q-TECH SMD or Through Hole | M55310/26-B42A 32M00000.pdf | ||
ERF8-020-01-L-D-RA-TR | ERF8-020-01-L-D-RA-TR ORIGINAL SMD or Through Hole | ERF8-020-01-L-D-RA-TR.pdf | ||
3550JM | 3550JM BB CAN8 | 3550JM.pdf | ||
T224160B-35S | T224160B-35S TMT TSOP | T224160B-35S.pdf | ||
LC88906 | LC88906 SANYO SOP | LC88906.pdf |