창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP50R520CPXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPP50R520CP | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.1A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 520m옴 @ 3.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 680pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 66W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000680944 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP50R520CPXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP50R520, IPP50R520CPXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | TV02W141-G | TVS DIODE 140VWM 224VC SOD123 | TV02W141-G.pdf | |
![]() | 445I25A14M31818 | 14.31818MHz ±20ppm 수정 10pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I25A14M31818.pdf | |
![]() | H8430KFYA | RES 430K OHM 1/4W 1% AXIAL | H8430KFYA.pdf | |
![]() | 95J27R | RES 27 OHM 5W 5% AXIAL | 95J27R.pdf | |
![]() | IS45S16800E-7TLA1 | IS45S16800E-7TLA1 ISSI SMD or Through Hole | IS45S16800E-7TLA1.pdf | |
![]() | NML08D1N5TRF | NML08D1N5TRF NICC SMD | NML08D1N5TRF.pdf | |
![]() | FMB16N50E | FMB16N50E FUJI T-pack(SJ)TO-263 | FMB16N50E.pdf | |
![]() | AD75110IKN | AD75110IKN AD DIPSOP | AD75110IKN.pdf | |
![]() | EKZE250ESS221MHB5D | EKZE250ESS221MHB5D NIPPON DIP | EKZE250ESS221MHB5D.pdf | |
![]() | MM5Z3V6T1G-ON | MM5Z3V6T1G-ON ORIGINAL SMD or Through Hole | MM5Z3V6T1G-ON.pdf | |
![]() | K4S561632H | K4S561632H SAMSUNG TSOP | K4S561632H.pdf | |
![]() | WS62256LLP | WS62256LLP WS DIP-28 | WS62256LLP.pdf |