창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP50R299CPHKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPP50R299CP | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 550V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 299m옴 @ 6.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 440µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1190pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 104W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000236070 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP50R299CPHKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP50R299, IPP50R299CPHKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VS-12CWQ04FNHM3 | DIODE ARRAY 40V 6A DPAK | VS-12CWQ04FNHM3.pdf | |
![]() | RG1608P-4641-P-T1 | RES SMD 4.64K OHM 1/10W 0603 | RG1608P-4641-P-T1.pdf | |
![]() | YC248-FR-07267RL | RES ARRAY 8 RES 267 OHM 1606 | YC248-FR-07267RL.pdf | |
![]() | 15009ATJ | 15009ATJ MAXIM THINQFN | 15009ATJ.pdf | |
![]() | LTC6907CS6 TEL:82766440 | LTC6907CS6 TEL:82766440 LT SMD or Through Hole | LTC6907CS6 TEL:82766440.pdf | |
![]() | PEB-2086HV1.3 | PEB-2086HV1.3 INFINEON QFP | PEB-2086HV1.3.pdf | |
![]() | UAA1016P | UAA1016P MOTOROLA DIP-8 | UAA1016P.pdf | |
![]() | SCC4076BE | SCC4076BE N/A DIP | SCC4076BE.pdf | |
![]() | R1126N291B-TR-F | R1126N291B-TR-F RICOH SOT23-5 | R1126N291B-TR-F.pdf | |
![]() | TLV5619QDWG4 | TLV5619QDWG4 TI SOIC | TLV5619QDWG4.pdf | |
![]() | A5027 | A5027 ORIGINAL DIP | A5027.pdf | |
![]() | SI719910AEDN-T1 | SI719910AEDN-T1 VISHAY QFN | SI719910AEDN-T1.pdf |