창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP50R190CE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx50R190CE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ CE | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 6.2A, 13V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 510µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.1nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1137pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 127W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP50R190CEXKSA1 SP000850802 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP50R190CE | |
| 관련 링크 | IPP50R, IPP50R190CE 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1555C1H9R0WA01D | 9pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H9R0WA01D.pdf | |
![]() | RG2012N-164-W-T1 | RES SMD 160K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-164-W-T1.pdf | |
![]() | Y4022150R000B9W | RES SMD 150 OHM 0.1% 1/5W 0805 | Y4022150R000B9W.pdf | |
![]() | CMF5569K800FHEK | RES 69.8K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5569K800FHEK.pdf | |
![]() | UN5212 /8B | UN5212 /8B Panasonic SOT-323 | UN5212 /8B.pdf | |
![]() | 100329FMQB. | 100329FMQB. NationalSemiconductor SMD or Through Hole | 100329FMQB..pdf | |
![]() | ABO TEL:82766440 | ABO TEL:82766440 MAXIM SC70-5 | ABO TEL:82766440.pdf | |
![]() | TC1264-2.5VET | TC1264-2.5VET MICROCHIP TO263-3P | TC1264-2.5VET.pdf | |
![]() | UWX1A220MCL1 | UWX1A220MCL1 NICHICON SMD or Through Hole | UWX1A220MCL1.pdf | |
![]() | SAA12815 | SAA12815 PHI DIP24 | SAA12815.pdf | |
![]() | MT88E43SR | MT88E43SR MITEL DIP | MT88E43SR.pdf | |
![]() | S3C89V8X36-NCT8 | S3C89V8X36-NCT8 SAMSUNG SMD or Through Hole | S3C89V8X36-NCT8.pdf |