창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP50R190CE | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx50R190CE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ CE | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 6.2A, 13V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 510µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.1nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1137pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 127W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP50R190CEXKSA1 SP000850802 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP50R190CE | |
관련 링크 | IPP50R, IPP50R190CE 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
IS725SMTR | IS725SMTR Isocom NA | IS725SMTR.pdf | ||
SMC0603X7R103M050NT | SMC0603X7R103M050NT N/A SMD or Through Hole | SMC0603X7R103M050NT.pdf | ||
SST36VF1601E-70-4I-B3KE | SST36VF1601E-70-4I-B3KE SST BGA48 | SST36VF1601E-70-4I-B3KE.pdf | ||
74ALVTH16373DLG4 | 74ALVTH16373DLG4 TI SSOP | 74ALVTH16373DLG4.pdf | ||
T350F566M003AS | T350F566M003AS kemet SMD or Through Hole | T350F566M003AS.pdf | ||
CS3845AD14 | CS3845AD14 CS SOP | CS3845AD14.pdf | ||
345RPLF | 345RPLF IDT SMD or Through Hole | 345RPLF.pdf | ||
TC157M10ET | TC157M10ET JARO SMD or Through Hole | TC157M10ET.pdf | ||
19.680MHz V | 19.680MHz V kyocera SMD or Through Hole | 19.680MHz V.pdf | ||
EIC1078100F | EIC1078100F MICROCHIP DIP | EIC1078100F.pdf | ||
LH4002AH/883B | LH4002AH/883B NSC CAN8 | LH4002AH/883B.pdf |