창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP50R190CE | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx50R190CE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ CE | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 6.2A, 13V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 510µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.1nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1137pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 127W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP50R190CEXKSA1 SP000850802 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP50R190CE | |
관련 링크 | IPP50R, IPP50R190CE 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | VJ0402D5R6BXAAC | 5.6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D5R6BXAAC.pdf | |
![]() | DR74-820-R | 82µH Shielded Wirewound Inductor 910mA 345 mOhm Nonstandard | DR74-820-R.pdf | |
![]() | EZ1585CT-1.5 | EZ1585CT-1.5 SC TO-220 | EZ1585CT-1.5.pdf | |
![]() | 111M5002-475M | 111M5002-475M MATSUO SMD or Through Hole | 111M5002-475M.pdf | |
![]() | XY93061D | XY93061D ON SOP | XY93061D.pdf | |
![]() | LW3414B | LW3414B ORIGINAL SMD or Through Hole | LW3414B.pdf | |
![]() | TEA1522P/N | TEA1522P/N NXP SMD or Through Hole | TEA1522P/N.pdf | |
![]() | CD73-270MC | CD73-270MC SUMIDA SMD or Through Hole | CD73-270MC.pdf | |
![]() | WRM0204C560RFI | WRM0204C560RFI welwyn SMD or Through Hole | WRM0204C560RFI.pdf | |
![]() | BLM21B421SPTM00-03 | BLM21B421SPTM00-03 MURATA SMD | BLM21B421SPTM00-03.pdf |