창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP50N10S3L-16 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx50N10S3L-16 | |
카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15.7m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 60µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4180pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP50N10S3L16 IPP50N10S3L16AKSA1 SP000407118 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP50N10S3L-16 | |
관련 링크 | IPP50N10, IPP50N10S3L-16 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 05HV23B474KNM | 0.47µF 500V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.470" L x 0.270" W(11.94mm x 6.89mm) | 05HV23B474KNM.pdf | |
![]() | PHP00603E1330BST1 | RES SMD 133 OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E1330BST1.pdf | |
![]() | CMF6041K200FHEA | RES 41.2K OHM 1W 1% AXIAL | CMF6041K200FHEA.pdf | |
![]() | MADE IN | MADE IN N/A DIP | MADE IN.pdf | |
![]() | 25EV-3P | 25EV-3P ORIGINAL SMD or Through Hole | 25EV-3P.pdf | |
![]() | 1045104000000040 | 1045104000000040 SIWARD SMD or Through Hole | 1045104000000040.pdf | |
![]() | 293D226X0204B2TE3 | 293D226X0204B2TE3 Vishay SMD or Through Hole | 293D226X0204B2TE3.pdf | |
![]() | pdz18b-115 | pdz18b-115 ORIGINAL SMD or Through Hole | pdz18b-115.pdf | |
![]() | TP7210 | TP7210 HG SMD or Through Hole | TP7210.pdf | |
![]() | TC1206SUP | TC1206SUP TOS DIP | TC1206SUP.pdf | |
![]() | MAX494CPD-T | MAX494CPD-T MAXIM DIP-14 | MAX494CPD-T.pdf | |
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