창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP50N10S3L-16 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx50N10S3L-16 | |
| 카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15.7m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 60µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4180pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP50N10S3L16 IPP50N10S3L16AKSA1 SP000407118 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP50N10S3L-16 | |
| 관련 링크 | IPP50N10, IPP50N10S3L-16 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | P1812R-562G | 5.6µH Unshielded Inductor 650mA 437 mOhm Max Nonstandard | P1812R-562G.pdf | |
![]() | MA4ST1231-1141T | MA4ST1231-1141T M/A-COM SOD323 | MA4ST1231-1141T.pdf | |
![]() | GP1FC300TP0F | GP1FC300TP0F ORIGINAL SMD or Through Hole | GP1FC300TP0F.pdf | |
![]() | R6110625XXYZ | R6110625XXYZ POWEREX MODULE | R6110625XXYZ.pdf | |
![]() | MAX167CCWG | MAX167CCWG MAXIM WSOP24 | MAX167CCWG.pdf | |
![]() | MPU-12460MLB0 | MPU-12460MLB0 MIK SMD or Through Hole | MPU-12460MLB0.pdf | |
![]() | HD63485PS64 | HD63485PS64 HITACHI SMD or Through Hole | HD63485PS64.pdf | |
![]() | MDM9SH004B | MDM9SH004B ITT NA | MDM9SH004B.pdf | |
![]() | TKP3R3M2GG13 | TKP3R3M2GG13 JAMICON SMD or Through Hole | TKP3R3M2GG13.pdf |