창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP45N06S409AKSA2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx45N06S4-09 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.4m옴 @ 45A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 34µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3785pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | * | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001028648 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP45N06S409AKSA2 | |
관련 링크 | IPP45N06S4, IPP45N06S409AKSA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | C2012JB1V475K125AC | 4.7µF 35V 세라믹 커패시터 JB 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012JB1V475K125AC.pdf | |
![]() | 1N60-D | 1N60-D N/A SMD or Through Hole | 1N60-D.pdf | |
![]() | MC10H103FNG | MC10H103FNG ON PLCC20 | MC10H103FNG.pdf | |
![]() | RF-180-QP2.0-5.0 | RF-180-QP2.0-5.0 RONGFENG SMD or Through Hole | RF-180-QP2.0-5.0.pdf | |
![]() | TMP86PS27FG | TMP86PS27FG TOSHIBA QFP | TMP86PS27FG.pdf | |
![]() | TMPR3912AUG-92(Z) | TMPR3912AUG-92(Z) TOSHIBA SMD or Through Hole | TMPR3912AUG-92(Z).pdf | |
![]() | UPD65840GJ-029-JEU | UPD65840GJ-029-JEU NEC SMD or Through Hole | UPD65840GJ-029-JEU.pdf | |
![]() | ERZ-SF2MK271 | ERZ-SF2MK271 Panasonic SMD or Through Hole | ERZ-SF2MK271.pdf | |
![]() | SM77D002-125.0M | SM77D002-125.0M PLETRONICS SMD | SM77D002-125.0M.pdf | |
![]() | TA935EC | TA935EC TAISAW SMD or Through Hole | TA935EC.pdf | |
![]() | PIC163-680-KTW | PIC163-680-KTW RCD SMD | PIC163-680-KTW.pdf | |
![]() | SI9731DQ-T | SI9731DQ-T VISHAY SOP | SI9731DQ-T.pdf |