창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP25N06S325XK | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB(I,P)25N06S3-25 | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 22/Jul/2010 | |
카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25.1m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 20µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1862pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 48W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP25N06S3-25 IPP25N06S3-25-ND IPP25N06S3-25IN IPP25N06S3-25IN-ND IPP25N06S325X SP000088001 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP25N06S325XK | |
관련 링크 | IPP25N06, IPP25N06S325XK 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | VJ0603D680FXAAR | 68pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D680FXAAR.pdf | |
![]() | M508012F | MODULE POWER 12A 600V SCR CC | M508012F.pdf | |
![]() | ERJ-2RKF4870X | RES SMD 487 OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-2RKF4870X.pdf | |
![]() | RCL04069K10FKEA | RES SMD 9.1K OHM 1/4W 0604 WIDE | RCL04069K10FKEA.pdf | |
![]() | HMC1086F10 | RF Amplifier IC General Purpose 2GHz ~ 6GHz | HMC1086F10.pdf | |
![]() | 8191 | 8191 ORIGINAL QFN20 | 8191.pdf | |
![]() | LH0026CN | LH0026CN NS DIP-10 | LH0026CN.pdf | |
![]() | LR478-3.3V T/R | LR478-3.3V T/R UTC SOP8 | LR478-3.3V T/R.pdf | |
![]() | C1206C101J2GACC7800 | C1206C101J2GACC7800 Kemet SMD | C1206C101J2GACC7800.pdf | |
![]() | CDRH8D58N/LDNP-470NC | CDRH8D58N/LDNP-470NC SUMIDA SMD or Through Hole | CDRH8D58N/LDNP-470NC.pdf | |
![]() | RKC4SD470J/EXB-F | RKC4SD470J/EXB-F KOA SMD or Through Hole | RKC4SD470J/EXB-F.pdf |