창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP200N25N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx200N25N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 64A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 64A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 270µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7100pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP200N25N3G IPP200N25N3GXKSA1 SP000677894 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP200N25N3 G | |
| 관련 링크 | IPP200N, IPP200N25N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 595D106X9035D8T | 10µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 35V 2917 (7343 Metric) 430 mOhm 0.295" L x 0.169" W (7.50mm x 4.30mm) | 595D106X9035D8T.pdf | |
![]() | CR0402-FX-3403GLF | RES SMD 340K OHM 1% 1/16W 0402 | CR0402-FX-3403GLF.pdf | |
![]() | RCP1206B240RJS2 | RES SMD 240 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206B240RJS2.pdf | |
![]() | IR3856WMTR1PBF | IR3856WMTR1PBF INTERNATIONALRECTIFIER HighlyEfficientInt | IR3856WMTR1PBF.pdf | |
![]() | AP20G45H SMD | AP20G45H SMD APEC to-252 | AP20G45H SMD.pdf | |
![]() | 3106-2-00-15-00-00-08-0 | 3106-2-00-15-00-00-08-0 BUSSMANN SMD or Through Hole | 3106-2-00-15-00-00-08-0.pdf | |
![]() | AIC1084-25CD | AIC1084-25CD AIC TO252 | AIC1084-25CD.pdf | |
![]() | TCA37276-P | TCA37276-P INFINEON SOP | TCA37276-P.pdf | |
![]() | FS10A10 | FS10A10 NIEC SMD or Through Hole | FS10A10.pdf | |
![]() | D17216GT-733 | D17216GT-733 NEC SOP | D17216GT-733.pdf | |
![]() | TMS32OC542PGE2-40 | TMS32OC542PGE2-40 TEXAS SMD or Through Hole | TMS32OC542PGE2-40.pdf |