Infineon Technologies IPP200N25N3 G

IPP200N25N3 G
제조업체 부품 번호
IPP200N25N3 G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
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내부 부품 번호EIS-IPP200N25N3 G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPx200N25N3 G
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)250V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C64A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs20m옴 @ 64A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 270µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs86nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds7100pF @ 100V
전력 - 최대300W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220-3
표준 포장 500
다른 이름IPP200N25N3G
IPP200N25N3GXKSA1
SP000677894
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IPP200N25N3 G
관련 링크IPP200N, IPP200N25N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
IPP200N25N3 G 의 관련 제품
13MHz ±30ppm 수정 16pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD 445A32C13M00000.pdf
CJ460985 ICS SSOP CJ460985.pdf
LC4256V-5FTN256BC LATTICE BGA LC4256V-5FTN256BC.pdf
ABZE MAXIM SOT23-5 ABZE.pdf
NCP1338DR2 ON SOIC-7 NCP1338DR2.pdf
TLC5945 TI TSOP28 TLC5945.pdf
MMBV105GLT1(4ME) ON SOT23 MMBV105GLT1(4ME).pdf
B764 E ORIGINAL SMD or Through Hole B764 E.pdf
40N03P ORIGINAL TO220 40N03P .pdf
PIC16F873AI/SS ORIGINAL SMD or Through Hole PIC16F873AI/SS.pdf
500S41N222JV JOHANSON SMD or Through Hole 500S41N222JV.pdf
STR-D6108 SANKEN ZSIP-5 STR-D6108.pdf