창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP200N15N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx200N15N3 G | |
주요제품 | Automatic Opening Systems | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1820pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP200N15N3 G IPP200N15N3 G-ND IPP200N15N3G SP000680884 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP200N15N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP200N15N, IPP200N15N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | FCP0805C822G-J2 | 8200pF Film Capacitor 16V Polyphenylene Sulfide (PPS) 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) | FCP0805C822G-J2.pdf | |
![]() | CDNBS08-SLVU2.8-4 | TVS DIODE 2.8VWM 21VC 8SOIC | CDNBS08-SLVU2.8-4.pdf | |
![]() | 625L3I032M00000 | 32MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 15mA Enable/Disable | 625L3I032M00000.pdf | |
WSK1206R0120FEA | RES SMD 0.012 OHM 1% 1/4W 1206 | WSK1206R0120FEA.pdf | ||
![]() | CRCW121833R0FKEK | RES SMD 33 OHM 1% 1W 1218 | CRCW121833R0FKEK.pdf | |
![]() | OJ5605E-R52 | RES 56 OHM 1/8W 5% AXIAL | OJ5605E-R52.pdf | |
![]() | PI49FCT3805HEC | PI49FCT3805HEC PERICOM SSOP20 | PI49FCT3805HEC .pdf | |
![]() | 195D155X0020A2T | 195D155X0020A2T VISHAY/SPRAGUE SMD | 195D155X0020A2T.pdf | |
![]() | 57C256F-45T | 57C256F-45T WSI SMD or Through Hole | 57C256F-45T.pdf | |
![]() | MF1608T-6N8B-LF | MF1608T-6N8B-LF coilmaster NA | MF1608T-6N8B-LF.pdf |