창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP200N15N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx200N15N3 G | |
주요제품 | Automatic Opening Systems | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1820pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP200N15N3 G IPP200N15N3 G-ND IPP200N15N3G SP000680884 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP200N15N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP200N15N, IPP200N15N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
C4532X7T2E105M250KE | 1µF 250V 세라믹 커패시터 X7T 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C4532X7T2E105M250KE.pdf | ||
GRM0335C1H6R4DD01D | 6.4pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H6R4DD01D.pdf | ||
TFZGTR15B | DIODE ZENER 15V 500MW TUMD2 | TFZGTR15B.pdf | ||
EXB-34V114JV | RES ARRAY 2 RES 110K OHM 0606 | EXB-34V114JV.pdf | ||
AMS1117CD-1.2V | AMS1117CD-1.2V BL TO-252 | AMS1117CD-1.2V.pdf | ||
CY2V9950A1 | CY2V9950A1 CYPRESS QFP32 | CY2V9950A1.pdf | ||
MX29LV800BTI-70 | MX29LV800BTI-70 ORIGINAL SMD or Through Hole | MX29LV800BTI-70.pdf | ||
EP903 | EP903 EXPLORE TQFP100 | EP903.pdf | ||
TC74VHCT573AFT-EL | TC74VHCT573AFT-EL TOS TSSOP | TC74VHCT573AFT-EL.pdf | ||
P6KE350A-TR | P6KE350A-TR FAGOR SMD or Through Hole | P6KE350A-TR.pdf | ||
SIM400-T1-E3 | SIM400-T1-E3 Vishay SOT-923 | SIM400-T1-E3.pdf | ||
XTL111050B | XTL111050B SIWRD SMD or Through Hole | XTL111050B.pdf |