창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP180N10N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx180N10N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 33A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 33µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP180N10N3 G IPP180N10N3 G-ND IPP180N10N3G SP000683090 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP180N10N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP180N10N, IPP180N10N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | AIMC-0402HQ-2N4C-T | 2.4nH Unshielded Multilayer Inductor 800mA 70 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | AIMC-0402HQ-2N4C-T.pdf | |
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![]() | SGSD310 | SGSD310 MOT SMD or Through Hole | SGSD310.pdf | |
![]() | EVQPBF304R | EVQPBF304R PANASONIC SMD or Through Hole | EVQPBF304R.pdf | |
![]() | C1608C0G1H102JT000N | C1608C0G1H102JT000N ORIGINAL SMD or Through Hole | C1608C0G1H102JT000N.pdf | |
![]() | QS5V9910-5SOI | QS5V9910-5SOI IDT SMD | QS5V9910-5SOI.pdf | |
![]() | TEA1083AT | TEA1083AT PHI SO-16 | TEA1083AT.pdf | |
![]() | SC11481CV | SC11481CV SIERRA PLCC | SC11481CV.pdf | |
![]() | A1460A-PQG160I | A1460A-PQG160I ACTEL SMD or Through Hole | A1460A-PQG160I.pdf |