창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP180N10N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx180N10N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 33A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 33µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP180N10N3 G IPP180N10N3 G-ND IPP180N10N3G SP000683090 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP180N10N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP180N10N, IPP180N10N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | ABLS-13.000MHZ-K4T | 13MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 125°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS-13.000MHZ-K4T.pdf | |
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![]() | ERA-8ARW8062V | RES SMD 80.6KOHM 0.05% 1/4W 1206 | ERA-8ARW8062V.pdf | |
![]() | AK8133E-E2 | AK8133E-E2 AKM SSOP16 | AK8133E-E2.pdf | |
![]() | 2F574 | 2F574 FERRANTI SMD or Through Hole | 2F574.pdf | |
![]() | TMC10R | TMC10R TDC SMD or Through Hole | TMC10R.pdf | |
![]() | SF0805X471SBNCT | SF0805X471SBNCT SPE SMD | SF0805X471SBNCT.pdf | |
![]() | ISPLSI2096A-125LQ128 | ISPLSI2096A-125LQ128 LATTICE QFP128 | ISPLSI2096A-125LQ128.pdf | |
![]() | S25VB80 | S25VB80 SHINDEN SMD or Through Hole | S25VB80.pdf | |
![]() | XC7336-15WC | XC7336-15WC XILINX WPLCC44 | XC7336-15WC.pdf | |
![]() | M38503C4ASP | M38503C4ASP MIT DIP42 | M38503C4ASP.pdf |