Infineon Technologies IPP180N10N3GXKSA1

IPP180N10N3GXKSA1
제조업체 부품 번호
IPP180N10N3GXKSA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
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IPP180N10N3GXKSA1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IPP180N10N3GXKSA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPx180N10N3 G
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C43A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs18m옴 @ 33A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 33µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs25nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1800pF @ 50V
전력 - 최대71W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220-3
표준 포장 500
다른 이름IPP180N10N3 G
IPP180N10N3 G-ND
IPP180N10N3G
SP000683090
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPP180N10N3GXKSA1
관련 링크IPP180N10N, IPP180N10N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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13MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 125°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US ABLS-13.000MHZ-K4T.pdf
RES SMD 330 OHM 5% 1/8W 0805 RC0805JR-07330RL.pdf
RES SMD 80.6KOHM 0.05% 1/4W 1206 ERA-8ARW8062V.pdf
AK8133E-E2 AKM SSOP16 AK8133E-E2.pdf
2F574 FERRANTI SMD or Through Hole 2F574.pdf
TMC10R TDC SMD or Through Hole TMC10R.pdf
SF0805X471SBNCT SPE SMD SF0805X471SBNCT.pdf
ISPLSI2096A-125LQ128 LATTICE QFP128 ISPLSI2096A-125LQ128.pdf
S25VB80 SHINDEN SMD or Through Hole S25VB80.pdf
XC7336-15WC XILINX WPLCC44 XC7336-15WC.pdf
M38503C4ASP MIT DIP42 M38503C4ASP.pdf