홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » IPP17N25S3100AKSA1

Infineon Technologies IPP17N25S3100AKSA1

IPP17N25S3100AKSA1
제조업체 부품 번호
IPP17N25S3100AKSA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 250V 17A TO-220
데이터 시트 다운로드
다운로드
IPP17N25S3100AKSA1 가격 및 조달

가능 수량

8975 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 729.45100
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 IPP17N25S3100AKSA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPP17N25S3100AKSA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPP17N25S3100AKSA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
IPP17N25S3100AKSA1 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IPP17N25S3100AKSA1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IPP17N25S3100AKSA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPB17N25S3-100, IPP17N25S3-100
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)250V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C17A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs100m옴 @ 17A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 54µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs19nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1500pF @ 25V
전력 - 최대107W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지PG-TO220-3-1
표준 포장 500
다른 이름SP001025116
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IPP17N25S3100AKSA1
관련 링크IPP17N25S3, IPP17N25S3100AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
IPP17N25S3100AKSA1 의 관련 제품
RES SMD 1.87K OHM 1/10W 0603 RT0603WRC071K87L.pdf
LAO-80V102MPDS3 ELNA DIP LAO-80V102MPDS3.pdf
2N5182 MOT CAN 2N5182.pdf
TEA0652/V1 Signetics DIP TEA0652/V1.pdf
C7Y2212 ORIGINAL TSSOP-20 C7Y2212.pdf
TR250-145-0.125 ORIGINAL SMD or Through Hole TR250-145-0.125.pdf
MMBZ5257B**DG-APC FAIRCHILD SMD DIP MMBZ5257B**DG-APC.pdf
TA7630P(GL3230) GOLDSTAR SMD or Through Hole TA7630P(GL3230).pdf
QG82945P SL8HL INTEL BGA QG82945P SL8HL.pdf
ELJNC82NKF 2520 ORIGINAL SMD or Through Hole ELJNC82NKF 2520.pdf
ST15019 ST SOP28 ST15019.pdf