창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP17N25S3100AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB17N25S3-100, IPP17N25S3-100 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 17A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 54µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 107W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP001025116 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP17N25S3100AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP17N25S3, IPP17N25S3100AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CMF5519K300BER6 | RES 19.3K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5519K300BER6.pdf | |
![]() | ST72F32AJ2T6 | ST72F32AJ2T6 ST QFP | ST72F32AJ2T6.pdf | |
![]() | CA1-B0-34-620-121-D | CA1-B0-34-620-121-D CarlingTechnologies 20 A ONE POLE | CA1-B0-34-620-121-D.pdf | |
![]() | HD6475368CG10 | HD6475368CG10 N/A PLCC | HD6475368CG10.pdf | |
![]() | E06110D0A | E06110D0A E SMD or Through Hole | E06110D0A.pdf | |
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![]() | 0402COG330J | 0402COG330J PHYCOMP SMD or Through Hole | 0402COG330J.pdf | |
![]() | 48R30A-1 | 48R30A-1 HT DIP | 48R30A-1.pdf | |
![]() | S4-S/33331 | S4-S/33331 MITSUMI SMD or Through Hole | S4-S/33331.pdf | |
![]() | CL31C561JGFNNN | CL31C561JGFNNN ORIGINAL SMD or Through Hole | CL31C561JGFNNN.pdf |