창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP16CN10NGXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx16CN10N G | |
| 카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 53A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16.5m옴 @ 53A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 61µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3220pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP16CN10N G IPP16CN10N G-ND IPP16CN10NG IPP16CN10NGIN IPP16CN10NGIN-ND IPP16CN10NGX IPP16CN10NGXK SP000680880 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP16CN10NGXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP16CN10, IPP16CN10NGXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | ASG-D-V-B-156.250MHZ-T | 156.25MHz LVDS VCXO Oscillator Surface Mount 2.5V 35mA Enable/Disable | ASG-D-V-B-156.250MHZ-T.pdf | |
![]() | BSZ15DC02KDHXTMA1 | MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON | BSZ15DC02KDHXTMA1.pdf | |
![]() | M5M82C55P-2 | M5M82C55P-2 MIT DIP | M5M82C55P-2.pdf | |
![]() | C0805C139D2GACTU | C0805C139D2GACTU KEMET SMD | C0805C139D2GACTU.pdf | |
![]() | KSC1632-O | KSC1632-O Sam SOT-23 | KSC1632-O.pdf | |
![]() | LA78MR05-FA | LA78MR05-FA SANYO TO-220 | LA78MR05-FA.pdf | |
![]() | MCF52233CAF60 | MCF52233CAF60 FREESCALE LQFP80 | MCF52233CAF60.pdf | |
![]() | Q41970171000100 | Q41970171000100 ORIGINAL SMD or Through Hole | Q41970171000100.pdf | |
![]() | IDT71V016S25Y | IDT71V016S25Y IDT SOJ-44 | IDT71V016S25Y.pdf | |
![]() | MAX825LEUR | MAX825LEUR MAXIM SMD or Through Hole | MAX825LEUR.pdf | |
![]() | 2MB150L-120 | 2MB150L-120 FUJI SMD or Through Hole | 2MB150L-120.pdf |