창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP147N12N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB144N12N3 G,IPx147N12N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 56A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.7m옴 @ 56A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 61µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3220pF @ 60V | |
전력 - 최대 | 107W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP147N12N3G IPP147N12N3GXKSA1 SP000652742 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP147N12N3 G | |
관련 링크 | IPP147N, IPP147N12N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | 5UWC20.030N | White 5000K LED Indication - Discrete 3.4V Radial | 5UWC20.030N.pdf | |
![]() | RG2012V-2261-B-T5 | RES SMD 2.26K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012V-2261-B-T5.pdf | |
![]() | H4P10R5DZA | RES 10.5 OHM 1W 0.5% AXIAL | H4P10R5DZA.pdf | |
![]() | 410403-58AW | 410403-58AW IR MODULE | 410403-58AW.pdf | |
![]() | TCM810JVNB713 | TCM810JVNB713 MICROCHIP SMD or Through Hole | TCM810JVNB713.pdf | |
![]() | D1588AGS50430IL | D1588AGS50430IL MSC SMD or Through Hole | D1588AGS50430IL.pdf | |
![]() | ADC910BT/883B | ADC910BT/883B AD CDIP | ADC910BT/883B.pdf | |
![]() | PAYI | PAYI TEXAS sot-153 | PAYI.pdf | |
![]() | RS30H11AAA02 | RS30H11AAA02 ALPS SMD or Through Hole | RS30H11AAA02.pdf |