창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP111N15N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB108N15N3 G,IPx111N15N3 G | |
주요제품 | Automatic Opening Systems | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 83A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.1m옴 @ 83A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 160µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3230pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 214W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP111N15N3G IPP111N15N3GXKSA1 SP000677860 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP111N15N3 G | |
관련 링크 | IPP111N, IPP111N15N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
FSMLF327 | 32.768kHz ±20ppm 수정 12.5pF 50k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SOJ, 2.29mm 피치 | FSMLF327.pdf | ||
![]() | J13009F | J13009F FAIRCHILD SMD or Through Hole | J13009F.pdf | |
![]() | 929400-01-04-RK | 929400-01-04-RK M SMD or Through Hole | 929400-01-04-RK.pdf | |
![]() | 3001AD2H2MJ1C | 3001AD2H2MJ1C ORIGINAL QFP | 3001AD2H2MJ1C.pdf | |
![]() | DS55325J/883b | DS55325J/883b NS DIP | DS55325J/883b.pdf | |
![]() | MTD2955V1 | MTD2955V1 ONSEMI DPAK-2W | MTD2955V1.pdf | |
![]() | LYA676-Q2S1-26 | LYA676-Q2S1-26 OSRAM SMD | LYA676-Q2S1-26.pdf | |
![]() | 58L256L36P-6A | 58L256L36P-6A MT QFP | 58L256L36P-6A.pdf | |
![]() | 48C64-402G | 48C64-402G ORIGINAL SOP | 48C64-402G.pdf | |
![]() | LM217BH | LM217BH NS CAN | LM217BH.pdf | |
![]() | FML120B | FML120B RECTRON SMB(DO-214AA) | FML120B.pdf |