창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP110N20NA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx(107,110)N20NA | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptimWatt™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 88A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.7m옴 @ 88A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 270µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 87nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7100pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP110N20NAAKSA1 SP000877672 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP110N20NA | |
관련 링크 | IPP110, IPP110N20NA 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | B32912B5333K | 0.033µF Film Capacitor 530V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.276" W (18.00mm x 7.00mm) | B32912B5333K.pdf | |
![]() | BFC2370EL124 | 0.12µF Film Capacitor 63V 250V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | BFC2370EL124.pdf | |
V07E50P | VARISTOR 82V 1.75KA DISC 7MM | V07E50P.pdf | ||
![]() | 100340677990N5VP | 100340677990N5VP ST QFP | 100340677990N5VP.pdf | |
![]() | AN-IP4004P2 | AN-IP4004P2 AN SMD or Through Hole | AN-IP4004P2.pdf | |
![]() | A584A789-101 | A584A789-101 AMCC SMD or Through Hole | A584A789-101.pdf | |
![]() | 2SD1306NETL/9K1 | 2SD1306NETL/9K1 AVX SOT-23 | 2SD1306NETL/9K1.pdf | |
![]() | D9041DA | D9041DA DIALOG QFP | D9041DA.pdf | |
![]() | GM7912TB3 | GM7912TB3 GAMMA TO-220 | GM7912TB3.pdf | |
![]() | P50N03LSG. | P50N03LSG. NIKO-SEM TO-263 | P50N03LSG..pdf | |
![]() | H27U1G8F2BTR-BIR | H27U1G8F2BTR-BIR ORIGINAL SMD or Through Hole | H27U1G8F2BTR-BIR.pdf | |
![]() | RJ-9W505 | RJ-9W505 COPAL SMD or Through Hole | RJ-9W505.pdf |