창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP110N20N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB107N20N3 G,IPx110N20N3 G IPx1x0N20N3 G | |
주요제품 | Automatic Opening Systems | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 88A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 88A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 270µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 87nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7100pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP110N20N3G IPP110N20N3GXKSA1 SP000677892 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP110N20N3 G | |
관련 링크 | IPP110N, IPP110N20N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | RT0603DRD0754R9L | RES SMD 54.9 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRD0754R9L.pdf | |
![]() | MMB02070C2210FB700 | RES SMD 221 OHM 1% 1W 0207 | MMB02070C2210FB700.pdf | |
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![]() | BAT54A/WV3 | BAT54A/WV3 CJ SOT-23 | BAT54A/WV3.pdf | |
![]() | TEESVP1C474M8RMSY | TEESVP1C474M8RMSY NEC SMD or Through Hole | TEESVP1C474M8RMSY.pdf | |
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![]() | SR73M2BTDR033J | SR73M2BTDR033J KOA SMD or Through Hole | SR73M2BTDR033J.pdf | |
![]() | AN0132WG | AN0132WG SI SOP-20 | AN0132WG.pdf | |
![]() | 530FA266M670DGR | 530FA266M670DGR ORIGINAL SMD or Through Hole | 530FA266M670DGR.pdf | |
![]() | DT56N10KOF | DT56N10KOF EUPEC MODULE | DT56N10KOF.pdf | |
![]() | 74AD9NF | 74AD9NF ORIGINAL SMD or Through Hole | 74AD9NF.pdf |