창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP100N08S207AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx100N08S2-07 | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 20/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.1m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP100N08S2-07 IPP100N08S2-07-ND SP000219005 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP100N08S207AKSA1 | |
관련 링크 | IPP100N08S, IPP100N08S207AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
UHV-231A | 200pF 30000V(30kV) 세라믹 커패시터 Z5T 디스크, 금속 피팅 - 스레딩 0.984" Dia x 1.024" L(25.00mm x 26.00mm) | UHV-231A.pdf | ||
GJM0335C1E9R2DB01D | 9.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GJM0335C1E9R2DB01D.pdf | ||
TH3B225M020F3500 | 2.2µF Molded Tantalum Capacitors 20V 1411 (3528 Metric) 3.5 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TH3B225M020F3500.pdf | ||
3000-09230007 | THERMOSTAT | 3000-09230007.pdf | ||
C566C-AFN-CU0W0251 300000 | C566C-AFN-CU0W0251 300000 CREE SMD or Through Hole | C566C-AFN-CU0W0251 300000.pdf | ||
QG80000PH(QI17ES) | QG80000PH(QI17ES) INTEL BGA | QG80000PH(QI17ES).pdf | ||
TMCMC0E157MTR | TMCMC0E157MTR HITACHI SMD or Through Hole | TMCMC0E157MTR.pdf | ||
BP2808-F | BP2808-F BPS SOP8 | BP2808-F.pdf | ||
B43501A0107M002 | B43501A0107M002 EPCOS DIP-2 | B43501A0107M002.pdf | ||
2SB1182Q | 2SB1182Q ROHM TO252 | 2SB1182Q.pdf | ||
LM1086ITX-5.0 | LM1086ITX-5.0 NS TO-220-3 | LM1086ITX-5.0.pdf | ||
CND2B102TEJ | CND2B102TEJ KOA SMD | CND2B102TEJ.pdf |