창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP100N06S205AKSA2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx100N06S2-05 | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev Obs 30/Mar/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5110pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP001067938 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP100N06S205AKSA2 | |
관련 링크 | IPP100N06S, IPP100N06S205AKSA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 1N5812 | DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA | 1N5812.pdf | |
![]() | RG2012V-132-W-T1 | RES SMD 1.3K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012V-132-W-T1.pdf | |
![]() | S3C80F9BZ0-QZ89 | S3C80F9BZ0-QZ89 ORIGINAL 44QFP | S3C80F9BZ0-QZ89.pdf | |
![]() | sb1005-470klb | sb1005-470klb ORIGINAL SMD or Through Hole | sb1005-470klb.pdf | |
![]() | K4M563233D-HN60 | K4M563233D-HN60 SAMSUNG BGA90 | K4M563233D-HN60.pdf | |
![]() | C3216X5R1H473KT | C3216X5R1H473KT TDK SMD or Through Hole | C3216X5R1H473KT.pdf | |
![]() | TA6210A | TA6210A TOS DIP | TA6210A.pdf | |
![]() | TA5704 | TA5704 TL SMD or Through Hole | TA5704.pdf | |
![]() | MB89F053 | MB89F053 FUJITSU QFP | MB89F053.pdf | |
![]() | LTC2209CUP-14#PBF/IUP | LTC2209CUP-14#PBF/IUP LT QFN | LTC2209CUP-14#PBF/IUP.pdf | |
![]() | PMEG3005AEA/DG,115 | PMEG3005AEA/DG,115 NXP SOD323 | PMEG3005AEA/DG,115.pdf | |
![]() | 595D227X9016D2TLF002 | 595D227X9016D2TLF002 VISHAY SMD or Through Hole | 595D227X9016D2TLF002.pdf |