창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP100N04S4H2AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx100N04S4-H2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 70µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7180pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 115W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP100N04S4-H2 IPP100N04S4-H2-ND SP000711278 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP100N04S4H2AKSA1 | |
관련 링크 | IPP100N04S, IPP100N04S4H2AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | MCR006YRTF6800 | RES SMD 680 OHM 1% 1/20W 0201 | MCR006YRTF6800.pdf | |
![]() | AC0402FR-07680KL | RES SMD 680K OHM 1% 1/16W 0402 | AC0402FR-07680KL.pdf | |
![]() | H4P270RFZA | RES 270 OHM 1W 1% AXIAL | H4P270RFZA.pdf | |
![]() | 9300DM | 9300DM F DIP16 | 9300DM.pdf | |
![]() | AUR9701EGG | AUR9701EGG AUR SOT23-5 | AUR9701EGG.pdf | |
![]() | MLT003N4500B5C | MLT003N4500B5C HONEYWELL SMD or Through Hole | MLT003N4500B5C.pdf | |
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![]() | GS7866-012-002W-C1 | GS7866-012-002W-C1 GLOBESPA BGA | GS7866-012-002W-C1.pdf | |
![]() | TDA7496L T/R | TDA7496L T/R UTC SOP-20 | TDA7496L T/R.pdf | |
![]() | PVM4A202B01R00 | PVM4A202B01R00 MURATA 4X4 | PVM4A202B01R00.pdf | |
![]() | SL-KB02 | SL-KB02 ORIGINAL SMD or Through Hole | SL-KB02.pdf | |
![]() | K9F1G08ROM-JIB0 | K9F1G08ROM-JIB0 SAMSUNG SMD or Through Hole | K9F1G08ROM-JIB0.pdf |