창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP100N04S303AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx100N04S3-03 | |
카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 145nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 214W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP100N04S3-03 IPP100N04S3-03-ND IPP100N04S303 SP000261227 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP100N04S303AKSA1 | |
관련 링크 | IPP100N04S, IPP100N04S303AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | GRM31A7U3A220JW31D | 22pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 U2J 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM31A7U3A220JW31D.pdf | |
![]() | VJ0805D150JLCAP | 15pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D150JLCAP.pdf | |
![]() | AD3400 | AD3400 AD SMD or Through Hole | AD3400.pdf | |
![]() | MB1401CR-G | MB1401CR-G FUJ BGA | MB1401CR-G.pdf | |
![]() | UTC18D09 | UTC18D09 ORIGINAL SMD | UTC18D09.pdf | |
![]() | R24YN20SB504 | R24YN20SB504 TOCOS SMD or Through Hole | R24YN20SB504.pdf | |
![]() | 1034850 | 1034850 NSC LLP | 1034850.pdf | |
![]() | BDT61CF | BDT61CF PHI TO-220F | BDT61CF.pdf | |
![]() | Z57G | Z57G ORIGINAL SOT363-6 | Z57G.pdf | |
![]() | LOW-6 | LOW-6 AMKOR SSOP | LOW-6.pdf | |
![]() | AEAT-7000-1GSD0 | AEAT-7000-1GSD0 AVAGO SMD or Through Hole | AEAT-7000-1GSD0.pdf | |
![]() | TC160G41AF-1467 | TC160G41AF-1467 ORIGINAL QFP | TC160G41AF-1467.pdf |