창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP093N06N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB,IPP090,093N06N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.3m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 34µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2900pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP093N06N3 G IPP093N06N3 G-ND IPP093N06N3G SP000680852 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP093N06N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP093N06N, IPP093N06N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | BP/MDL-8 | FUSE 8 AMP | BP/MDL-8.pdf | |
![]() | CRCW0402280RFKED | RES SMD 280 OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW0402280RFKED.pdf | |
![]() | PWR4412-2SCR0300F | RES 0.03 OHM 3W 1% RADIAL | PWR4412-2SCR0300F.pdf | |
![]() | RK1R-5V | RK1R-5V NAIS SMD or Through Hole | RK1R-5V.pdf | |
![]() | JETKEY=V5.0 | JETKEY=V5.0 N/A DIP-40 | JETKEY=V5.0.pdf | |
![]() | BFR92A P2W | BFR92A P2W NXP SOT-23 | BFR92A P2W.pdf | |
![]() | 84256C-70L-SK | 84256C-70L-SK FUJITSU DIP28 | 84256C-70L-SK.pdf | |
![]() | H11FI | H11FI Isocom DIP6 | H11FI.pdf | |
![]() | GB042-50P-H10 | GB042-50P-H10 LG SMD or Through Hole | GB042-50P-H10.pdf | |
![]() | 6364372-2 | 6364372-2 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 6364372-2.pdf | |
![]() | CF1/2CT52A 5R6J | CF1/2CT52A 5R6J KOA SMD or Through Hole | CF1/2CT52A 5R6J.pdf |