창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP093N06N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB,IPP090,093N06N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.3m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 34µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2900pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP093N06N3 G IPP093N06N3 G-ND IPP093N06N3G SP000680852 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP093N06N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP093N06N, IPP093N06N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | C1005X5R1A104M050BA | 0.10µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005X5R1A104M050BA.pdf | |
![]() | CPF0805B316RE1 | RES SMD 316 OHM 0.1% 1/10W 0805 | CPF0805B316RE1.pdf | |
![]() | CMF201K8000GNEA | RES 1.8K OHM 1W 2% AXIAL | CMF201K8000GNEA.pdf | |
![]() | CPCC1056R00JE66 | RES 56 OHM 10W 5% RADIAL | CPCC1056R00JE66.pdf | |
![]() | CW010256R0KE123 | RES 256 OHM 13W 10% AXIAL | CW010256R0KE123.pdf | |
![]() | KTC3400-GC(KTC3400-GR-AT) | KTC3400-GC(KTC3400-GR-AT) KEC TR | KTC3400-GC(KTC3400-GR-AT).pdf | |
![]() | YF-C657 | YF-C657 YF SMD or Through Hole | YF-C657.pdf | |
![]() | MP7523KN.JN.LN | MP7523KN.JN.LN MP DIP16 | MP7523KN.JN.LN.pdf | |
![]() | TNET2101PZ | TNET2101PZ TEXAS QFP | TNET2101PZ.pdf | |
![]() | SDB25SOLTTXM | SDB25SOLTTXM MCMUR SMD or Through Hole | SDB25SOLTTXM.pdf | |
![]() | LM200CH | LM200CH NS CAN8 | LM200CH.pdf | |
![]() | 2322-615-32222 | 2322-615-32222 VISHAY SMD or Through Hole | 2322-615-32222.pdf |