창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP086N10N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx08xN10N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.6m옴 @ 73A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 75µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3980pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP086N10N3 G IPP086N10N3 G-ND IPP086N10N3G SP000680840 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP086N10N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP086N10N, IPP086N10N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 352124RFT | RES SMD 24 OHM 1% 2W 2512 | 352124RFT.pdf | |
![]() | CRCW25122M67FKTG | RES SMD 2.67M OHM 1% 1W 2512 | CRCW25122M67FKTG.pdf | |
![]() | CMF551K4300DHEB | RES 1.43K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF551K4300DHEB.pdf | |
![]() | UA530969 | UA530969 ICS TSSOP | UA530969.pdf | |
![]() | UJ4600790408 | UJ4600790408 ICS SOP | UJ4600790408.pdf | |
![]() | TMS150SA-6 | TMS150SA-6 ORIGINAL SMD or Through Hole | TMS150SA-6.pdf | |
![]() | 82--00263-1 | 82--00263-1 sandisk QFN | 82--00263-1.pdf | |
![]() | IX3475CE | IX3475CE SHARP SMD | IX3475CE.pdf | |
![]() | SN74CB3Q3305DC | SN74CB3Q3305DC TI US8 | SN74CB3Q3305DC.pdf | |
![]() | GP1S95J0000 | GP1S95J0000 SHARP SMD or Through Hole | GP1S95J0000.pdf | |
![]() | CI-5508B | CI-5508B NEC NULL | CI-5508B.pdf |