창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP084N06L3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx081,84N06L3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.4m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 34µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4900pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 79W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP084N06L3 G IPP084N06L3 G-ND SP000680838 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP084N06L3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP084N06L, IPP084N06L3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
ORNV10025001T5 | RES NETWORK 5 RES MULT OHM 8SOIC | ORNV10025001T5.pdf | ||
CMF651M3300FEBF | RES 1.33M OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF651M3300FEBF.pdf | ||
5200/1943 | 5200/1943 ORIGINAL TO3P | 5200/1943.pdf | ||
CL-170D-CD-T | CL-170D-CD-T CITIZEN SMD or Through Hole | CL-170D-CD-T.pdf | ||
B32541-S6364-K487 | B32541-S6364-K487 EPCOS SMD | B32541-S6364-K487.pdf | ||
NC7ST86L6X-NL | NC7ST86L6X-NL FAIRCHILD SMD or Through Hole | NC7ST86L6X-NL.pdf | ||
BLF051SURC/E12V | BLF051SURC/E12V KIBGBRIGHT ROHS | BLF051SURC/E12V.pdf | ||
SLSNNWH113TS BQD A307 | SLSNNWH113TS BQD A307 SAMSUNG ROHS | SLSNNWH113TS BQD A307.pdf | ||
DQK-30-150S | DQK-30-150S SYNERGY SMD or Through Hole | DQK-30-150S.pdf | ||
OZ839LN | OZ839LN ORIGINAL QFN | OZ839LN.pdf | ||
PRMSP001 | PRMSP001 COMUS SMD or Through Hole | PRMSP001.pdf | ||
LEMWS59S75HZ00 | LEMWS59S75HZ00 LGINNOTEK SMD or Through Hole | LEMWS59S75HZ00.pdf |