창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP083N10N5AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPP083N10N5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 73A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.3m옴 @ 73A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 49µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 37nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2730pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP001226036 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP083N10N5AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP083N10, IPP083N10N5AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | YC102-JR-0730RL | RES ARRAY 2 RES 30 OHM 0302 | YC102-JR-0730RL.pdf | |
![]() | KSE13007-H1 | KSE13007-H1 FSC TO-220 | KSE13007-H1.pdf | |
![]() | 2SC101 | 2SC101 NULL TO-3 | 2SC101.pdf | |
![]() | AXT380264 | AXT380264 NAIS SMD or Through Hole | AXT380264.pdf | |
![]() | CBB81 562/1600 P22 | CBB81 562/1600 P22 HBCKAY SMD or Through Hole | CBB81 562/1600 P22.pdf | |
![]() | 70JB7W | 70JB7W ORIGINAL BGA | 70JB7W.pdf | |
![]() | T809203143BW | T809203143BW AMPHENOL SMD or Through Hole | T809203143BW.pdf | |
![]() | GTC2012P-18NJ | GTC2012P-18NJ Got SMD | GTC2012P-18NJ.pdf | |
![]() | UPD753012GK-715-BE9 QFP | UPD753012GK-715-BE9 QFP NEC SMD or Through Hole | UPD753012GK-715-BE9 QFP.pdf | |
![]() | AM26LS32MJ/883 | AM26LS32MJ/883 ORIGINAL SMD or Through Hole | AM26LS32MJ/883.pdf | |
![]() | 6-103329-4 | 6-103329-4 GCELECTRONICS SOP-8 | 6-103329-4.pdf | |
![]() | SA57821B03 | SA57821B03 SAMSUNG QFP | SA57821B03.pdf |