창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP075N15N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx072,75N15N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 270µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 93nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5470pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP075N15N3 G IPP075N15N3 G-ND IPP075N15N3G SP000680832 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP075N15N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP075N15N, IPP075N15N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | ERJ-8ENF2003V | RES SMD 200K OHM 1% 1/4W 1206 | ERJ-8ENF2003V.pdf | |
![]() | ERA-8AEB510V | RES SMD 51 OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB510V.pdf | |
![]() | Y07859K00000B0L | RES 9K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y07859K00000B0L.pdf | |
![]() | P2600SB | P2600SB TECCOR DO214AA | P2600SB .pdf | |
![]() | GLZ24BD2 LL34-24V | GLZ24BD2 LL34-24V GS/GeneralSe LL-34 | GLZ24BD2 LL34-24V.pdf | |
![]() | PC-2012U51GC | PC-2012U51GC ORIGINAL SOT-23 | PC-2012U51GC.pdf | |
![]() | HX3042 | HX3042 HX DFN-6 | HX3042.pdf | |
![]() | SCI7700YAA-T1 | SCI7700YAA-T1 EPSON SOT89 | SCI7700YAA-T1.pdf | |
![]() | RJK0358DSP-00#J0 | RJK0358DSP-00#J0 RENESAS TRS | RJK0358DSP-00#J0.pdf | |
![]() | HK16081N5J-T | HK16081N5J-T TAIYOYUDEN SMD or Through Hole | HK16081N5J-T.pdf | |
![]() | E1466DA | E1466DA ATMEL SMD or Through Hole | E1466DA.pdf |