창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP072N10N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPP,IPI072N10N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.2m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4910pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP072N10N3 G IPP072N10N3 G-ND IPP072N10N3G SP000680830 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP072N10N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP072N10N, IPP072N10N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | RCP0603B12R0JEB | RES SMD 12 OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603B12R0JEB.pdf | |
![]() | Y16273K57000D13W | RES SMD 3.57K OHM 0.5% 1/2W 2010 | Y16273K57000D13W.pdf | |
![]() | RC0402JR-071M8L 0402 1.8M | RC0402JR-071M8L 0402 1.8M ORIGINAL SMD or Through Hole | RC0402JR-071M8L 0402 1.8M.pdf | |
![]() | SSS6N90 | SSS6N90 FA TO-220 | SSS6N90.pdf | |
![]() | WM2610CDT | WM2610CDT wolfso TSSOP20 | WM2610CDT.pdf | |
![]() | LESD5Z6.0T1G | LESD5Z6.0T1G LRC SOD-523 | LESD5Z6.0T1G.pdf | |
![]() | 324BMEC | 324BMEC STM SMD or Through Hole | 324BMEC.pdf | |
![]() | KN400A CD | KN400A CD VIA BGA552 | KN400A CD.pdf | |
![]() | AP7217C-13SPG-13-80 | AP7217C-13SPG-13-80 DIODES SOP-8 | AP7217C-13SPG-13-80.pdf | |
![]() | S1MF | S1MF PANJIT SMBF | S1MF.pdf | |
![]() | GXE250VB68RM16X31LL | GXE250VB68RM16X31LL UMITEDCHEMI-CON DIP | GXE250VB68RM16X31LL.pdf |