창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP072N10N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPP,IPI072N10N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.2m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4910pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP072N10N3 G IPP072N10N3 G-ND IPP072N10N3G SP000680830 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP072N10N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP072N10N, IPP072N10N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | SPT01-335DEE | TVS DIODE 33VWM 46VC 6QFN | SPT01-335DEE.pdf | |
![]() | 1N966B 16V | 1N966B 16V Fairchild DO35 | 1N966B 16V.pdf | |
![]() | USBM9604-28M | USBM9604-28M ORIGINAL SOP | USBM9604-28M.pdf | |
![]() | BYV116-35 | BYV116-35 NXP TO-220 | BYV116-35.pdf | |
![]() | 61343Q200 | 61343Q200 MIDTEX/TYCO SMD or Through Hole | 61343Q200.pdf | |
![]() | CYT8117T33L | CYT8117T33L CYT SOT-223 | CYT8117T33L.pdf | |
![]() | IS61WV102416BLL-10T | IS61WV102416BLL-10T ISSI TSOP | IS61WV102416BLL-10T.pdf | |
![]() | 2SC4106M(=2SC3039M) | 2SC4106M(=2SC3039M) SANYO SMD or Through Hole | 2SC4106M(=2SC3039M).pdf | |
![]() | 2SK711-V/BL | 2SK711-V/BL TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SK711-V/BL.pdf | |
![]() | XC4003A6PC84I | XC4003A6PC84I xil SMD or Through Hole | XC4003A6PC84I.pdf | |
![]() | REF08Z/883 | REF08Z/883 AD CDIP | REF08Z/883.pdf | |
![]() | RB491T146R | RB491T146R ROHM SOT-23 | RB491T146R.pdf |