창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP065N03LGXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IP(B,P)065N03L G | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 28/Feb/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1613 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 56W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP065N03L G IPP065N03LG IPP065N03LGIN IPP065N03LGIN-ND IPP065N03LGXK SP000254736 SP000680818 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP065N03LGXKSA1 | |
관련 링크 | IPP065N03, IPP065N03LGXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | RPC0805JT51K0 | RES SMD 51K OHM 5% 1/4W 0805 | RPC0805JT51K0.pdf | |
![]() | RT0603DRD0711K5L | RES SMD 11.5KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRD0711K5L.pdf | |
![]() | 4609X-101-821LF | RES ARRAY 8 RES 820 OHM 9SIP | 4609X-101-821LF.pdf | |
![]() | UUG1J101MNR1MS | UUG1J101MNR1MS NICHICON SMD or Through Hole | UUG1J101MNR1MS.pdf | |
![]() | GT4953SC.. | GT4953SC.. YGMOS SMD or Through Hole | GT4953SC...pdf | |
![]() | M0759YC080 | M0759YC080 WESTCODE MODULE | M0759YC080.pdf | |
![]() | BUL45G | BUL45G ON na | BUL45G.pdf | |
![]() | PROVA-901 | PROVA-901 PROVA SMD or Through Hole | PROVA-901.pdf | |
![]() | 75N75G TO-220 | 75N75G TO-220 UTC SMD or Through Hole | 75N75G TO-220.pdf | |
![]() | S-8232A | S-8232A ORIGINAL SMD or Through Hole | S-8232A.pdf | |
![]() | UPD434016ALLE-A15 | UPD434016ALLE-A15 NEC SOJ | UPD434016ALLE-A15.pdf | |
![]() | MMBT5G551LT1G | MMBT5G551LT1G ONSemiconductor SOT23 | MMBT5G551LT1G.pdf |