창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP065N03LGXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IP(B,P)065N03L G | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 28/Feb/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1613 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 56W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP065N03L G IPP065N03LG IPP065N03LGIN IPP065N03LGIN-ND IPP065N03LGXK SP000254736 SP000680818 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP065N03LGXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP065N03, IPP065N03LGXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | MLF2012E100MTD25 | 10µH Shielded Multilayer Inductor 15mA 800 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012E100MTD25.pdf | |
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![]() | HS1-3282-2 | HS1-3282-2 HARRIS CDIP | HS1-3282-2.pdf | |
![]() | 2233A | 2233A JRC SOP-8 | 2233A.pdf | |
![]() | MD81C4256-80PSZ | MD81C4256-80PSZ ORIGINAL DIP | MD81C4256-80PSZ.pdf |