창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP062NE7N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPP062NE7N3G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.2m옴 @ 73A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 70µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3840pF @ 37.5V | |
전력 - 최대 | 136W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP062NE7N3 G IPP062NE7N3 G-ND IPP062NE7N3G SP000819768 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP062NE7N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP062NE7N, IPP062NE7N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
BAS383-TR3 | DIODE SCHOTTKY 60V 30MA MICROMLF | BAS383-TR3.pdf | ||
B82145A1104J | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 860mA 700 mOhm Max Axial | B82145A1104J.pdf | ||
PTGL05AR550H4P51A0 | PTC Thermistor 55 Ohm Disc, 5.5mm Dia x 3.5mm W | PTGL05AR550H4P51A0.pdf | ||
S1C33209F00E200 | S1C33209F00E200 EPSON QFP | S1C33209F00E200.pdf | ||
RL280G3 | RL280G3 ledtronic SMD or Through Hole | RL280G3.pdf | ||
F6215S | F6215S IR TO-263 | F6215S.pdf | ||
RK73B1JTTDJ 1K J | RK73B1JTTDJ 1K J KOA SMD or Through Hole | RK73B1JTTDJ 1K J.pdf | ||
LH505213 | LH505213 SHARP SOP | LH505213.pdf | ||
79RC64T574 | 79RC64T574 IDT QFP | 79RC64T574.pdf | ||
EKMH181VSN681MA25T | EKMH181VSN681MA25T NIPPONCHEMI-COM DIP | EKMH181VSN681MA25T.pdf | ||
MF0207FTE52-10R | MF0207FTE52-10R PHYCOMP SMD or Through Hole | MF0207FTE52-10R.pdf |