창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP057N08N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx054,57N08N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.7m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4750pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP057N08N3 G IPP057N08N3 G-ND IPP057N08N3G SP000680810 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP057N08N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP057N08N, IPP057N08N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | LQP03TN8N2J02D | 8.2nH Unshielded Thin Film Inductor 250mA 700 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | LQP03TN8N2J02D.pdf | |
![]() | CJT100390RJJ | RES CHAS MNT 390 OHM 5% 100W | CJT100390RJJ.pdf | |
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![]() | LMH11NFS8TN | LMH11NFS8TN rohm SMD or Through Hole | LMH11NFS8TN.pdf | |
![]() | ADS5282IRGCR | ADS5282IRGCR TI VQFN | ADS5282IRGCR.pdf | |
![]() | LXY-2FB-100M-120V | LXY-2FB-100M-120V ORIGINAL SMD or Through Hole | LXY-2FB-100M-120V.pdf | |
![]() | AXT222124 | AXT222124 NAiS/ SMD | AXT222124.pdf | |
![]() | SKET740/22EH4 | SKET740/22EH4 Semikron SMD or Through Hole | SKET740/22EH4.pdf |