창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP057N06N3GXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx054,57N06N3 G | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.7m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 58µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 82nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6600pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 115W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP057N06N3 G IPP057N06N3 G-ND IPP057N06N3G SP000680808 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP057N06N3GXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP057N06N, IPP057N06N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D1R1CXCAC | 1.1pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R1CXCAC.pdf | |
![]() | T494U476K010AT | T494U476K010AT KEMET SMD | T494U476K010AT.pdf | |
![]() | MAX3485EE8A | MAX3485EE8A MAX A | MAX3485EE8A.pdf | |
![]() | S222K53X7RP6BKO | S222K53X7RP6BKO ORIGINAL DE0241 | S222K53X7RP6BKO.pdf | |
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![]() | GS0276J-50 | GS0276J-50 SUNTAC PLCC44 | GS0276J-50.pdf | |
![]() | 19-217/BHC-XL2M2TY/3T | 19-217/BHC-XL2M2TY/3T EVERLIGHT SMD or Through Hole | 19-217/BHC-XL2M2TY/3T.pdf | |
![]() | 58332-056LF | 58332-056LF FCI SMD or Through Hole | 58332-056LF.pdf | |
![]() | DR-12VDC/DC12V | DR-12VDC/DC12V NAIS SMD or Through Hole | DR-12VDC/DC12V.pdf | |
![]() | CAT28F020T/P | CAT28F020T/P CATALYST SMD or Through Hole | CAT28F020T/P.pdf | |
![]() | 39295023 | 39295023 MOLEX SMD or Through Hole | 39295023.pdf |