창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP057N06N3GXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx054,57N06N3 G | |
PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.7m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 58µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 82nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6600pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 115W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP057N06N3 G IPP057N06N3 G-ND IPP057N06N3G SP000680808 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP057N06N3GXKSA1 | |
관련 링크 | IPP057N06N, IPP057N06N3GXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | PHP00603E1071BST1 | RES SMD 1.07K OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E1071BST1.pdf | |
![]() | RSF100JB-73-18K | RES 18K OHM 1W 5% AXIAL | RSF100JB-73-18K.pdf | |
![]() | CPR05R9100KE31 | RES 0.91 OHM 5W 10% RADIAL | CPR05R9100KE31.pdf | |
![]() | RF1181E | RF1181E RFM SMD or Through Hole | RF1181E.pdf | |
![]() | R1173D001B-TR-F | R1173D001B-TR-F RICOH SMD or Through Hole | R1173D001B-TR-F.pdf | |
![]() | SLR938C-2 | SLR938C-2 SANYO DIP | SLR938C-2.pdf | |
![]() | AD9283ARS | AD9283ARS AD SSOP | AD9283ARS.pdf | |
![]() | MAX944CPD/EPD | MAX944CPD/EPD MAXIM DIP14 | MAX944CPD/EPD.pdf | |
![]() | RAM-1 NOPB | RAM-1 NOPB MINI SMT86 | RAM-1 NOPB.pdf | |
![]() | RH-RGD-1404 | RH-RGD-1404 ORIGINAL SMD or Through Hole | RH-RGD-1404.pdf | |
![]() | LYV22V10-7A | LYV22V10-7A PHI PLCC28 | LYV22V10-7A.pdf | |
![]() | TDA9874AH/V2(QFP) D/C01 | TDA9874AH/V2(QFP) D/C01 PHI SMD or Through Hole | TDA9874AH/V2(QFP) D/C01.pdf |