창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP055N03LGXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IP(B,P)055N03L G | |
| 카탈로그 페이지 | 1613 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3200pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 68W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP055N03L G IPP055N03LGIN IPP055N03LGIN-ND IPP055N03LGXK SP000680806 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP055N03LGXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP055N03, IPP055N03LGXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CM309A16.257MABJT | 16.257MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SOJ, 2.85mm 피치 | CM309A16.257MABJT.pdf | |
![]() | AMP120527-1 | AMP120527-1 AMP DIP | AMP120527-1.pdf | |
![]() | LTC2858CMS-1#PBF | LTC2858CMS-1#PBF LT MSOP-10 | LTC2858CMS-1#PBF.pdf | |
![]() | LP5952TL-1.2 N | LP5952TL-1.2 N NS na | LP5952TL-1.2 N.pdf | |
![]() | CY7C1020B-1.5ZXCT | CY7C1020B-1.5ZXCT ORIGINAL SMD or Through Hole | CY7C1020B-1.5ZXCT.pdf | |
![]() | 78L516A24FL | 78L516A24FL N/A QFP44 | 78L516A24FL.pdf | |
![]() | MC68302CRC201F26E | MC68302CRC201F26E MOT DIP | MC68302CRC201F26E.pdf | |
![]() | GPCHIPRES.10KOHM 1/10W1%0603 | GPCHIPRES.10KOHM 1/10W1%0603 ORIGINAL SMD or Through Hole | GPCHIPRES.10KOHM 1/10W1%0603.pdf | |
![]() | IBM93US | IBM93US ORIGINAL BGA | IBM93US.pdf | |
![]() | ULA2G014E2 | ULA2G014E2 ORIGINAL DIP28 | ULA2G014E2.pdf |