창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP04CNE8N G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | IPP04CNE8N G | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TO-220 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | IPP04CNE8N G | |
| 관련 링크 | IPP04CN, IPP04CNE8N G 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 50MS50.33MEFC4X5 | 0.33µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | 50MS50.33MEFC4X5.pdf | |
![]() | ASEMPC-66.666MHZ-T3 | 66.666MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | ASEMPC-66.666MHZ-T3.pdf | |
![]() | LQW18ANR10G00D | 100nH Unshielded Wirewound Inductor 220mA 680 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQW18ANR10G00D.pdf | |
![]() | 103-181J | 180nH Unshielded Inductor 695mA 200 mOhm Max 2-SMD | 103-181J.pdf | |
![]() | PALC20R6Z-35CQS | PALC20R6Z-35CQS MMI CDIP | PALC20R6Z-35CQS.pdf | |
![]() | 2SK2897 | 2SK2897 FUJITSU TO-220 | 2SK2897.pdf | |
![]() | HA2173H-EL | HA2173H-EL MAXIM QFN | HA2173H-EL.pdf | |
![]() | MC68EZ328PU16V-2J83G | MC68EZ328PU16V-2J83G MOT/QFP SMD or Through Hole | MC68EZ328PU16V-2J83G.pdf | |
![]() | DPV12832V-200M | DPV12832V-200M ORIGINAL HIP66 | DPV12832V-200M.pdf | |
![]() | 7203TCWAV2QE | 7203TCWAV2QE ORIGINAL SMD or Through Hole | 7203TCWAV2QE.pdf | |
![]() | QL2009-1PB256I | QL2009-1PB256I QUICKLOG BGA256 | QL2009-1PB256I.pdf | |
![]() | LTC3459EDDB-1#PBF/ID | LTC3459EDDB-1#PBF/ID LT SMD or Through Hole | LTC3459EDDB-1#PBF/ID.pdf |