창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP048N04NGXKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPP048N04N G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8m옴 @ 70A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 79W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP048N04N G IPP048N04N G-ND IPP048N04NG SP000648308 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP048N04NGXKSA1 | |
관련 링크 | IPP048N04, IPP048N04NGXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
37FD3735 | 35µF Film Capacitor 370V Polypropylene (PP), Metallized Radial, Can 2.906" L x 1.906" W (73.81mm x 48.41mm), Lip | 37FD3735.pdf | ||
0673.200MXEP | FUSE GLASS 200MA 250VAC AXIAL | 0673.200MXEP.pdf | ||
CZRUR18VB-HF | DIODE ZENER 18V 150MW 0603 | CZRUR18VB-HF.pdf | ||
CRA06S083390RJTA | RES ARRAY 4 RES 390 OHM 1206 | CRA06S083390RJTA.pdf | ||
ET21J1AVQE2 | ET21J1AVQE2 ORIGINAL SMD or Through Hole | ET21J1AVQE2.pdf | ||
M25P28-VMF6 | M25P28-VMF6 ST SOP16 | M25P28-VMF6.pdf | ||
1210-5.6M | 1210-5.6M ORIGINAL SMD or Through Hole | 1210-5.6M.pdf | ||
WLOP21-603P305 | WLOP21-603P305 ORIGINAL SMD or Through Hole | WLOP21-603P305.pdf | ||
MB8858AM-G-1101M-BND | MB8858AM-G-1101M-BND FUJ QFP | MB8858AM-G-1101M-BND.pdf | ||
16X9X27 | 16X9X27 ORIGINAL SMD or Through Hole | 16X9X27.pdf | ||
LS18B2 | LS18B2 CITIZEN SMD or Through Hole | LS18B2.pdf |